热变形翘曲测量系统(DIC)

热变形翘曲测量系统可在低温(最低-65°C)和高温(最高400°C)不同温度条件下,对印刷电路板(基板)与元器件之间的冷、热匹配特性进行测量。实现对基板、元器件在不同温度下(模拟回流焊的温度变化)的翘曲度的检测。通过测量样品的翘曲度变化,分析基板与元器件的匹配特性,以保证产品的焊接质量和可靠性。

所属分类: 热变形翘曲测量

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产品详情

热变形翘曲测量系统可在低温(-65°C)和高温(最高400°C)不同温度条件下,对印刷电路板(基板)与元器件之间的冷、热匹配特性进行测量。实现对基板、元器件在不同温度下(模拟回流焊的温度变化)的翘曲度的检测。通过测量样品的翘曲度变化,分析基板与元器件的匹配特性,以保证产品的焊接质量和可靠性。


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技术参数

型号

TWMD-800(DIC)

TWMD-600(DIC)

TWMD-400H(DIC)

TWMD-400(DIC)TWMD-250(DIC)

测量技术

条纹投影、DIC

最大视场

800mm×800mm

600mm×600mm

400mm×400mm

400mm×400mm

250mm×250mm

最大样品尺寸

800mm×800mm

600mm×600mm

400mm×400mm

400mm×400mm

250mm×250mm

最小样品尺寸

20mm×20mm

20mm×20mm

20mm×20mm

20mm×20mm

10mm× 10mm

最大共面度

50mm

50mm

50mm

50mm

50mm

垂直位移分辨率(z轴)

1.5μm

1.2μm

0.75μm

1.5μm

0.5μm

垂直位移精度(z轴)

1.5μm or 2%

1.2μm or 2%

0.75μm or 2%

1.5μm or 2%

0.5μm or 2%

水平位移分辨率(XY轴)2μm1.5μm1μm1.5μm1μm
应变分辨率10μStrain10μStrain10μStrain10μStrain10μStrain

最大测量点数

6500 万

6500 万

6500万

2500万

2500万

最大测点密度

76点/mm²

136点/mm²

300点/mm²150点/mm²400点/mm²

加热方式

红外辐射加热

降温方式压缩机风冷

最高温度

300℃

320℃

350℃

350℃

400℃

最大升温速率

2℃/S(50℃-250℃)

2℃/S(50℃-250℃)

3℃/S(50℃-250℃)

3℃/S(50℃-250℃)

4℃/S(50℃-250℃)

最大降温速率

1℃/S(250℃-125℃)

1℃/S(250℃-125℃)

1.5℃/S(250℃-125℃)

1.5℃/S(250℃-125℃)

2℃/S(250℃-125℃)

温度均匀性<±10℃<±5℃<±5℃<±5℃<±5℃

最大可设温度曲线数

无限制

最大热分布无限制

最大热循环时间

无限制

每周期最大采集量

无限制

自动数据采集

支持

批处理数据分析

支持

测试报告自动生成支持
样品数量无限制
样品批处理支持
样品自动识别支持

数据输出格式

.pdf,.gif,.bmp,.dat,.txt,.png

典型样品设置时间

1分钟(不喷漆)/8分钟(喷漆)

典型样品制备方法DIC/黑色/白色喷漆

数据采集时间

3s

3s

2s2s2s
数据分析时间3s3s2s2s2s
CTE数据采集时间0.1s0.1s0.1s0.1s0.1s

CTE数据分析时间

8s

8s

8s5s5s

标定方式

全自动标定

低温装置最低温度-65℃(选配装置)


应用范围

可用于PCB、基板、BGA、IC、硅片,陶瓷基覆铜板、BGA、DBC、AMB、氧化铝覆铜板、氮化铝覆铜板、氮化硅覆铜板以及半导体、封装晶圆和薄膜框架晶圆等微电子器件在受冷、热变形条件下的翘曲度、平整度共面性测量。由于集成了DIC测量技术,该系统也用于微电子材料的热膨胀系数(CTE)和表面应变分布测量。



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